发布时间：2026-06-02 来源：网络
全球半导体产能扩张与制程升级并行，12 英寸硅片需求持续攀升，带动 CMP 抛光材料市场高速增长。驰明普（CMP‑Pro）硅片 CMP 抛光液依托自研技术实现性能赶超进口，成为国产半导体材料 “突围” 的关键力量。
硅片表面质量要求严苛：Ra≤0.1 nm、无划痕、无残留、全局平整度＜1 μm，否则将直接影响光刻、布线与器件可靠性。长期以来，高端抛光液依赖进口，存在成本高、交期长、适配差、响应慢等痛点，制约国内产业自主可控。驰明普聚焦行业痛点，完成从 “跟跑” 到 “并跑” 的跨越。
驰明普核心技术优势集中在三点：高纯纳米磨料制备、化机协同配方、低缺陷控制。磨料采用高纯度 SiO₂，分散工艺实现 72 小时无分层沉淀，车间操作简单便捷；化学体系实现 “温和氧化 + 精准研磨”，规避过腐蚀与机械损伤，兼顾效率与良率；添加专用缓蚀与分散组分，抑制氧化过度，显著降低微缺陷率，适配高端硅片超精密抛光。
应用场景覆盖全产业链：逻辑 / 存储芯片多层互连平坦化、210/182 mm 光伏硅片损伤层去除、IGBT/MOSFET 功率器件双面精抛。产品通过RoHS 环保认证，不含重金属与卤素，废液处理成本低，契合绿色制造趋势。
市场数据显示，2024 年全球 CMP 抛光材料规模突破 50 亿美元，硅基抛光液占比超 35%，中国市场年增速超 18%。驰明普凭借高性价比、稳定供货、定制化服务快速进入头部晶圆厂供应链，渗透率持续提升，加速进口替代进程。
未来，驰明普将持续加大研发投入，聚焦纳米材料、界面化学与工艺适配，完善产品矩阵，提升全球竞争力，助力中国从半导体材料大国迈向强国。
