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8 英寸碳化硅衬底扩产潮 大尺寸 SiC CMP 抛光液迎来增量

发布时间:2026-08-03      来源:网络


2026 年国内多家材料企业 8 英寸碳化硅衬底产线实现通线,天岳先进、天科合达等企业月产能持续爬坡,8 英寸衬底单片制造成本较 6 英寸降低 15%-18%,车规级功率器件大规模导入 8 英寸衬底,带动大尺寸专用碳化硅 CMP 抛光液需求爆发式增长。8 英寸 SiC 衬底抛光难度远高于 6 英寸,对抛光液均匀分散、全域去除一致性、低缺陷控制提出全新严苛标准。

CMP抛光前后对比图硅片碳化硅.jpg

8 英寸衬底抛光三大全新痛点:衬底面积更大,抛光液流动不均易造成边缘与中心粗糙度差值超标;长时间抛光过程中研磨颗粒持续团聚,整片衬底出现区域性划痕;大尺寸衬底翘曲度更高,亚表面损伤会引发整片器件失效,传统 6 英寸抛光液配方无法适配大尺寸工况。海外 8 英寸 SiC 抛光液单价高昂,定制周期超 30 天,国内衬底企业迫切本土替代方案。

驰明普针对 8 英寸 4H-SiC 衬底迭代新一代粗抛、精抛抛光液,优化磨料粒径分布与流动分散助剂,大尺寸盘面抛光均匀度差值控制在 0.1nm 以内;改良氧化体系,长时间抛光无颗粒团聚,划痕缺陷密度大幅下降;长效抗沉降配方适配大产线连续循环供液,无需频繁搅拌。产品开放 200ml 小样供 8 英寸衬底中试产线验证,技术团队可根据大尺寸双面抛光机调整整套工艺参数,快速完成产线切换。

中长期看 8 英寸 SiC 将成为行业主流衬底规格,配套专用抛光液市场规模三年翻番。驰明普加大大尺寸碳化硅抛光液研发与产能投入,紧跟衬底尺寸迭代节奏,抢占 8 英寸 SiC 抛光耗材国产替代市场。