发布时间：2026-04-06 来源：
【行业动态，2026 年 4 月 10 日】随着半导体制程向3nm/2nm演进、3D NAND 堆叠层数突破500 层、先进封装（TSV / 混合键合）规模化应用，CMP 抛光液技术迎来精准化、高端化、绿色化三大升级方向，低缺陷率、高选择比、原子级平坦化成为行业核心竞争指标。
一、先进制程对 CMP 抛光液的严苛要求
制程越先进，抛光步骤越多：90nm 工艺 CMP 步骤≤12 步，使用 5–6 种抛光液；14nm 以下达 20 步以上，7nm 及以下达 30 步，2nm 背面供电技术再增背面减薄步骤，单片晶圆抛光液用量翻倍；
性能指标几何级提升：要求抛光液实现纳米级颗粒分散（粒径标准差＜0.5nm）、高去除率、低侧蚀 / 低腐蚀、高稳定性、无杂质残留，直接决定芯片良率与性能；
新材料适配：钴（Co）、钌（Ru）、钼（Mo）等新型互连金属，以及 SiC、GaN 等第三代半导体材料，对抛光液配方、磨料选择、pH 控制提出全新挑战。
二、行业技术趋势：三大方向引领未来
精准化：开发软质纳米磨料（氧化铈 / 硅溶胶 / 氧化铝）、定制化缓蚀剂与氧化剂，实现 “原子级去除、零损伤表面”，适配高深宽比 TSV、混合键合等场景；
绿色化：响应 “双碳” 与欧盟碳关税，采用可降解表面活性剂、低毒缓蚀剂，降低 VOC 排放，推广抛光液回收再利用技术；
一体化：抛光液 + 清洗液 + 工艺调试一站式解决方案，减少客户工艺适配成本，提升良率与效率。
三、驰明普：以技术自研应对先进制程挑战
万稳实业（驰明普）聚焦纳米级配方优化、颗粒分散技术、材料选择性去除工艺三大核心技术，组建材料化学、半导体工艺、纳米分散专业团队，持续投入配方迭代与工艺优化，已形成多项核心专利（申请中）。其产品在高去除率、低缺陷率、高选择比、高稳定性上对标国际一线，适配先进逻辑 / 存储芯片、功率器件、化合物半导体等高端场景，为本土晶圆厂提供先进制程本土化抛光方案。
