发布时间：2026-07-29 来源：网络
2026 年国内 2.5D/3D 封装、TSV 硅通孔、混合键合产线集中扩建，AI HBM 存储、车载算力芯片、消费射频芯片封装需求暴涨，先进封装 CMP 抛光液市场同比增长 39.2%，成为抛光液第二大下游赛道。14nm 逻辑芯片 CMP 工序 21 道，7nm 以下超 30 道，3D NAND 堆叠层数突破 320 层，抛光液消耗量指数级上涨，先进封装耗材国产化空间持续打开。
先进封装抛光存在独特工艺难点：TSV 高深宽比结构易出现碟形凹陷，介质层、铜阻挡层抛光选择比难以平衡；混合键合前晶圆平整度要求纳米级，微小颗粒残留直接造成键合失效；海外封装抛光液交期长，产线出现缺陷时售后响应滞后，容易引发长时间停工；中小封测实验室缺少小规格试样渠道，大桶采购验证成本高。
驰明普通用半导体 CMP 抛光液适配 8/12 英寸晶圆、TSV 硅通孔平坦化工序，高纯球形硅溶胶磨料，金属杂质管控至极低水平，抛光后晶圆平整度达标混合键合标准；搭配通用 CMP 后清洗剂，一次性剥离抛光颗粒与有机助剂，减少晶圆返工。产品支持 200ml 小样定制，可根据封测设备、抛光垫调整磨料浓度、PH 值，平衡去除速率与表面缺陷。整套抛光清洗一体化方案无需大幅改造现有封装产线，即可完成进口药剂替换。
产业政策持续扶持先进封装产业链，多地新建封测产业园优先配套本土耗材。下游封测企业采购标准升级，小批量试样、配套清洗、现场工艺支持成为供应商核心考核项。驰明普迭代新一代低缺陷通用抛光配方，扩充量产产能，依托柔性定制、一站式配套优势，抢占成熟先进封装 CMP 耗材市场。
