发布时间：2026-07-27 来源：网络
2026 年国内 4/6/8 英寸碳化硅衬底产线密集投产，新能源 800V 高压平台、光伏储能、大功率快充设备需求持续放量，带动碳化硅专用 CMP 抛光耗材年复合增速 27.54%，预计 2031 年国内 SiC 抛光材料迈入百亿规模。碳化硅莫氏硬度 9.2，远高于硅与蓝宝石，抛光存在三大不可逆工艺痛点，长期制约国产衬底良率提升。
第一，常规硅溶胶磨料去除速率极低，单衬底抛光耗时 3-5 小时，量产成本居
高；第二，普通氧化铝抛光液易产生 50nm 以上亚表面损伤层，高温外延后器件击穿电压大幅衰减；第三，抛光纳米颗粒嵌入衬底晶格沟壑，通用清洗药剂无法剥离，微管密度超标无法满足车规标准。海外 SiC 抛光液垄断市场，起订量大、配方不可调整，中小衬底研发企业试样门槛极高，延缓国内第三代半导体扩产节奏。
驰明普针对性开发碳化硅粗抛、精抛双规格抛光液，自研窄分布复合氧化铝研磨体系，同等工况材料去除速率提升 25%，抛光后衬底 Ra 稳定控制 0.2nm 以内，金属杂质管控至 ppb 级别，杜绝外延漏电缺陷。配方搭载长效抗沉降助剂，大批量产线连续供液无分层；同步配套 SiC 专用 CMP 后清洗液，协同剥离内嵌纳米颗粒，衬底微管密度降至 0.1 个 /cm² 以内。产品全线开放 200ml 小样，企业提供衬底尺寸、设备参数即可快速调配专属配方，无需大规模改造原有抛光设备。
政策层面碳化硅纳入重点新材料目录，多地给予衬底产线 30%-50% 设备补贴，倒逼上游抛光耗材自主配套。当前头部衬底企业已批量导入国产抛光液验证，8 英寸大尺寸 SiC 抛光配方成为研发核心赛道。驰明普持续扩充碳化硅专用产线，迭代适配大尺寸衬底新一代精抛药剂，依托小批量定制、抛光清洗一体化优势，加速实现 SiC 抛光材料全面国产替代。
