发布时间：2026-07-20 来源：网络
随着新能源汽车、光伏储能、工业功率器件产业高速扩张，第三代半导体碳化硅（SiC）衬底与功率器件迎来爆发式增长，配套碳化硅 CMP 抛光液赛道成为 2026 年半导体材料行业最具潜力细分领域。Yole 机构预测，2027 年全球 SiC CMP 耗材市场规模将达 8.7 亿美元，年复合增长率 22%，中国市场份额有望突破 35%，国内碳化硅抛光液市场增速超 40%，是传统硅片抛光液增速的 2 倍以上。
碳化硅莫氏硬度高达 9.2，远超硅片、蓝宝石基材，抛光工艺技术壁垒极高，传统氧化硅、氧化铝抛光液存在去除速率低、表面微划伤、金属离子残留超标等问题，车规级碳化硅衬底要求抛光后表面粗糙度 Ra≤0.08nm、微管缺陷密度＜0.1 个 / 平方厘米，严苛指标长期被海外品牌垄断，国内碳化硅衬底厂商抛光液采购高度依赖进口，存在采购成本高、交付周期长、定制化服务缺失等痛点。
行业技术研发路线清晰分为粗抛、精抛两大体系：粗抛液侧重快速去除衬底切割损伤层，提升材料去除效率；精抛液主打原子级平整，严控表面缺陷与杂质含量。目前国内头部材料企业已完成 6 英寸碳化硅衬底抛光液批量验证，8 英寸大尺寸 SiC 专用抛光液仍处于中试阶段，配方稳定性、磨料粒径均匀度仍有优化空间。政策层面，国内半导体专项资金加大第三代半导体材料扶持力度，2025 年 SiC 抛光液国产化专项扶持资金同比增长 60%，加速本土企业技术迭代落地。
下游需求端，新能源汽车是碳化硅耗材核心驱动力，SiC 逆变器可提升整车电能转化效率 5%-8%，缩短快充时长 30%，2025 年国内新能源汽车 SiC 器件装机量同比增长 40%，直接带动上游衬底抛光耗材需求持续放量；同时 8 英寸碳化硅晶圆产线集中投产，对抛光液批次一致性、大规模量产供给能力提出更高要求，具备自动化产线、稳定配方体系的本土厂商迎来发展机遇。
深圳万稳实业驰明普紧跟第三代半导体产业风口，完成碳化硅 CMP 抛光液阶段性研发突破，依托成熟蓝宝石、陶瓷抛光液研发平台，复用高纯纳米磨料改性、长效分散核心技术，攻克碳化硅抛光浆料沉降、划伤、离子残留三大行业难题，现已面向国内碳化硅衬底企业开放 200ml 小样上机测试。公司深耕深圳半导体产业集群，可快速响应珠三角第三代半导体企业试样、工艺调试需求，配套提供抛光 - 清洗一体化解决方案，缩短客户产线验证周期。
行业从业者表示，未来 2-3 年是碳化硅抛光液国产替代关键窗口期，本土企业需持续优化磨料体系、缓冲配方，完善大尺寸晶圆适配工艺，逐步实现高端碳化硅抛光液全流程自主可控，填补国内第三代半导体抛光材料供给空白。
