发布时间：2026-07-15 来源：网络
2026 年 800V 高压新能源汽车平台全面普及，光伏储能、工业变频器、大功率快充设备市场需求持续放量，碳化硅作为第三代半导体核心衬底材料，国内各大材料企业集中开启 4 英寸、6 英寸、8 英寸碳化硅衬底产线扩建，带动碳化硅专用 CMP 抛光耗材需求进入爆发式增长阶段。行业调研数据显示，2025 至 2033 年全球碳化硅抛光耗材年复合增长率达 27.54%，国内市场增速领跑全球，预计 2031 年国内 SiC 抛光材料市场规模迈入百亿级别。不同尺寸衬底产线对抛光工艺要求差异显著，6 英寸成熟产线侧重量产效率，8 英寸大尺寸衬底对表面缺陷、亚表面损伤控制提出更高标准，也催生差异化抛光液产品供给缺口。
碳化硅莫氏硬度高达 9.2，远高于硅片与蓝宝石，抛光加工长期存在三大行业痛点。第一，常规硅溶胶抛光液研磨硬度不足，材料去除速率偏低，难以满足量产产能需求；第二，传统氧化铝抛光体系容易划伤衬底表面，产生深层亚表面损伤，破坏后续外延薄膜生长环境；第三，抛光后纳米研磨颗粒极易嵌入衬底微观沟壑，普通清洗药剂无法彻底剥离，直接拉低衬底成品良率。当前碳化硅专用抛光液市场高度依赖进口，海外产品定价高昂，最低采购规格 20L 起，中小衬底研发企业试样门槛极高，延缓国内第三代半导体整体扩产进度。
针对高硬度碳化硅衬底抛光难点，深圳万稳实业驰明普深耕第三代半导体耗材赛道，自研复合氧化铝纳米研磨体系碳化硅 CMP 抛光液，细分粗抛、精抛两款产品覆盖衬底全流程加工工序。经过批量上机实测，同等设备工况下，该款抛光液材料去除速率优于普通国产氧化铝抛光液 25%，抛光完成后衬底表面粗糙度 Ra 稳定控制在 0.2nm 以内，生产过程划痕、凹坑缺陷数量大幅降低；原料全部采用电子级高纯物料，铁、铜、钠等金属杂质含量远低于行业管控标准，规避衬底外延漏电不良问题。
为降低行业工艺验证门槛，驰明普碳化硅 CMP 抛光液开放 200ml 小规格定制试样服务，企业只需提供衬底尺寸、抛光设备型号、目标粗糙度指标，即可快速完成专属配方调配，同步配套适配碳化硅基材的 CMP 后清洗液，一站式解决抛光残渣残留清洗难题。技术团队可根据产线设备参数、产能目标一对一优化抛光液配比、供液流量、压力转速整套工艺方案，适配市面主流单面、双面精密抛光设备，无需大规模改造原有产线即可完成进口耗材切换。
从产业长期发展趋势来看，国内碳化硅衬底国产化进程持续提速，上游抛光耗材自主配套成为产业链完善关键环节。目前多数头部碳化硅材料企业已启动国产抛光液批量验证工作，优先导入兼具稳定性能、柔性定制、配套清洗方案的本土耗材产品。驰明普持续加大碳化硅抛光液研发投入，迭代适配 8 英寸大尺寸衬底的新一代精抛配方，同步扩充专用生产产能，持续满足国内第三代半导体产业快速增长的耗材需求，推动碳化硅 CMP 抛光材料全面实现国产替代。（全文约 1020 字）
