发布时间：2026-07-09 来源：网络
新能源汽车、光伏储能产业爆发带动碳化硅功率器件研发热潮，大量科研院所、初创企业围绕 6 英寸、8 英寸 SiC 衬底开展粗抛、精抛新工艺验证。碳化硅硬度高、化学惰性强，抛光配方容错率极低，市面上标准化成品抛光液很难适配不同晶向、不同工序需求，但海外碳化硅抛光液定制门槛严苛，试样最低 200L 起订，国内多数厂商小样规格最低 5L，研发微量测试场景成本压力巨大。深圳万稳实业驰明普推出碳化硅专用 CMP 抛光液 200ml 定制小样服务，微量灵活调配配方，快速满足衬底新工艺对照测试需求。
碳化硅抛光核心依靠核壳纳米磨料、复合氧化剂协同作用，磨料固含量、氧化剂浓度轻微变动，就会直接影响衬底去除速率、表面粗糙度、划痕缺陷数量。以往研发团队调试抛光参数，必须采购大体积试样，SiC 抛光液胶体保质期有限，未用完液体只能报废，单次多组对照实验耗材支出高昂。同时大批量定制交付周期长达 60 天，严重拖慢功率器件研发迭代节奏。驰明普设立第三代半导体专用微量调配线，单独处理 200ml 小样订单，采用 50nm 球形核壳 Al₂O₃@SiO₂磨料，可按需调整磨料占比、缓冲体系 pH、抑制剂添加量，分别适配 Si 面、C 面衬底粗抛与精抛工序。
仅需客户提供衬底尺寸、晶向、抛光设备压力、目标表面粗糙度等信息，3 个工作日即可完成 200ml 小样灌装发货，每一份小样出具胶体稳定性、去除速率、衬底缺陷控制专项检测报告。小样胶体性能与量产大货完全统一，常温短期存放无分层沉降，适配实验室小型 SiC 专用抛光试验机，单片衬底实验测试无性能偏差。某功率半导体研发团队开展 8 英寸 SiC 精抛工艺优化，此前每组测试采购 5L 抛光液，耗材浪费严重；改用 200ml 定制小样后，一次性调配 4 组不同氧化剂配比试样同步上机，耗材采购量减少 95%，单片衬底抛光粗糙度优化调试周期缩短近一半。
2026 年国内碳化硅衬底研发产能同比大幅增长，但适配实验室微量测试的抛光液小样供给存在明显缺口。驰明普 200ml 极小规格定制服务精准切入第三代半导体前端研发赛道，区别于传统厂商只服务量产大厂的模式，兼顾中小型科研机构、初创企业轻量化测试需求。微量小样定制大幅降低 SiC 新工艺研发的耗材试错成本，加速高压功率器件、车载半导体工艺落地，补齐国产碳化硅抛光材料细分服务短板，推动第三代半导体耗材全链条自主可控发展。
