发布时间：2026-07-06 来源：网络
随着国内 12 英寸晶圆厂产能持续扩张，先进逻辑、存储、Chiplet 先进封装对 CMP 抛光液胶体稳定性、去除速率、片内均匀性提出原子级严苛标准。深圳万稳实业旗下驰明普通用半导体 CMP 抛光液完成全制程工艺验证，依托精细化磨料配方与多体系氧化剂复配技术，核心技术参数全面对标 Cabot、富士胶片海外头部产品，加速国内晶圆制造耗材自主可控进程。
从核心配方技术参数拆解，该抛光液采用高纯胶体二氧化硅、氧化铈双磨料体系，磨料原生粒径区间 20–80nm，粒径分布指数 PDI 严格控制＜0.12，Zeta 电位绝对值稳定≥38mV，从根源规避量产循环中磨料团聚、沉降分层问题。市面普通国产抛光液 PDI 普遍高于 0.18，连续循环 30 小时便会出现颗粒团聚，极易造成晶圆划痕缺陷；驰明普产品可稳定循环 72 小时无明显沉淀，批次胶体稳定性偏差仅 ±2%，有效减少产线耗材更换频次，摊薄单片生产成本。
五大核心工艺参数实现精准可调，适配多薄膜抛光需求：第一，材料去除速率MRR 覆盖500–4800Å/min，针对铜、钨、氧化层、STI 浅槽隔离薄膜可定制调节，STI 工艺选择比达 110:1，优于行业常规 80:1 标准；第二，晶圆片内非均匀性 WIWNU≤1.4%（1σ），满足 7nm 及以下先进节点≤1.5% 的硬性指标，杜绝多层布线厚度不均带来的芯片电性失效；第三，抛光后表面缺陷密度＜0.08 颗 /cm²，30nm 以上划痕缺陷基本清零，适配 EUV 光刻前置平坦化工序；第四，金属杂质总含量≤8ppt，单种重金属离子＜0.8ppt，符合 SEMI G4 高纯化学品规范，防止栅极氧化层金属沾污；第五，工作 pH 区间 4–11 模块化可调，碱性适配硅介质抛光、酸性适配金属互连抛光，兼容 200mm、300mm 全尺寸国产、进口 CMP 设备与各类抛光垫。
当前国内 5nm 先进制程单芯片 CMP 抛光工序达 32 道，3D NAND 存储每增加一层单元，抛光液消耗量提升 21%，晶圆厂普遍面临进口耗材交期长、配方定制响应慢、售后溢价高等痛点。万稳实业依托深圳本地研发生产基地，72 小时内即可完成定制配方调试，针对产线压力、转速、流量等工艺参数优化配比。某头部 12 英寸存储厂替换该产品后，单片晶圆耗材成本下降 18.7%，芯片良率同步提升 2.6%。
2026 年国内半导体 CMP 抛光液市场规模突破 40 亿元，国产厂商市占率稳步上涨，但高端通用抛光液仍存在技术壁垒。驰明普通过产学研联合攻关，自主突破磨料球化合成、螯合抑制剂复配、长效分散稳定剂三大核心技术，摆脱海外配方与原料依赖。产品已通过多家头部晶圆、封测厂可靠性认证，覆盖铜、钨、氧化物、阻挡层全系列抛光场景。业内技术人员表示，该款抛光液以标准化、可定制化的精密参数体系，打破海外厂商长期垄断，完善国内半导体平坦化材料自主供应链，为先进制程产能持续释放筑牢材料根基。
