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第三代半导体爆发式增长,驰明普 CMP 抛光液适配碳化硅衬底加工

发布时间:2026-06-26      来源:网络


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【市场热点】2026 年新能源汽车、光伏储能产业持续扩容,拉动碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代半导体器件需求爆发式增长,对应的 CMP 抛光液市场增速突破 20%。第三代半导体材料硬度高、脆性大,传统硅基抛光液无法满足其低损伤、高平整度的加工要求,市场亟需专用 CMP 抛光液解决方案。深圳万稳实业驰明普特种基 CMP 抛光液近期完成碳化硅衬底量产验证,成功切入第三代半导体赛道。

碳化硅衬底抛光的核心技术难点在于,需在保证高去除率的同时,严格控制亚表面损伤与表面粗糙度。驰明普特种基 CMP 抛光液通过定制化化学体系设计,实现机械磨削与化学腐蚀的动态平衡,针对 6 英寸碳化硅衬底,可将表面粗糙度 Ra 稳定控制在 0.2nm 以下,亚表面损伤层厚度<10nm,远优于行业常规标准。产品采用中性温和配方,避免腐蚀碳化硅晶格,保障衬底电学性能稳定。

除碳化硅外,该抛光液还适配氮化铝陶瓷、氮化镓等多种第三代半导体材料,应用场景覆盖功率器件、射频器件、光电子器件等核心领域。深圳万稳实业还提供定制化服务,可根据客户衬底规格、工艺目标调整配方参数,技术团队驻厂调试,确保抛光效果与产线完美适配。

随着国内第三代半导体产能持续释放,专用 CMP 抛光液市场空间将进一步扩大。驰明普凭借技术先发优势,已与多家化合物半导体企业达成合作,以高性价比、本土化服务优势,打破海外品牌垄断,助力第三代半导体全产业链自主化。