发布时间：2026-06-25 来源：网络
【技术前沿】随着芯片制程向 7nm 及以下先进节点演进，晶圆堆叠层数持续增加，抛光工序数量较成熟制程提升 6 倍，对 CMP 抛光液的纳米级平坦化能力、杂质控制精度提出严苛要求。传统抛光液面临 “高去除率与低缺陷率难以平衡” 的技术困境，成为制约先进制程良率提升的关键瓶颈。深圳万稳实业驰明普针对性研发的先进制程专用 CMP 抛光液，成功突破多项技术壁垒，为高端芯片制造提供稳定解决方案。
先进制程芯片对抛光液的核心诉求集中在三方面：原子级平坦度、ppb 级杂质控制、长时加工稳定性。驰明普金属层 CMP 抛光液通过优化化学体系与磨料分散技术，实现对铜、钨等金属层的精准去除，侧蚀率控制在行业领先水平，保障芯片互连结构的稳定性；介电层抛光液则凭借自主研发的 pH 缓冲系统，在 10-45℃工况下 pH 波动≤±0.2，确保层间介质（ILD）、浅槽隔离（STI）等关键制程的表面平整度，满足先进制程原子级加工要求。
在杂质控制方面，驰明普采用半导体级高纯原料与多级超滤工艺，总金属杂质含量＜0.5ppb，避免杂质嵌入硅晶格导致芯片漏电、器件失效。长时加工测试显示，该抛光液连续上机 120 小时性能衰减仅 7%，远优于行业平均水平，完美适配先进制程大规模量产需求。
目前，驰明普先进制程 CMP 抛光液已通过多家头部晶圆厂验证，应用于逻辑芯片、存储芯片的高端制程环节。深圳万稳实业研发团队还将持续跟进 3nm 及以下制程演进，优化抛光液配方与工艺参数，同步开发配套清洗液，构建 “抛光 + 清洗” 一体化解决方案，助力下游客户突破先进制程良率瓶颈。
