发布时间：2026-07-28 来源：网络
新能源汽车 800V 高压平台、光伏储能、大功率快充设备产业全面爆发，带动国内碳化硅衬底产线密集扩建，碳化硅作为第三代半导体核心基材，莫氏硬度高达 9.2，抛光加工难度远超硅片、蓝宝石，长期依赖海外专用抛光液供应，进口耗材单价高昂、起订量大、定制周期长达 30 天，国内衬底研发企业试样门槛极高，制约第三代半导体产业扩产节奏。深圳万稳实业驰明普深耕第三代半导体抛光耗材赛道，完成碳化硅 CMP 抛光液全系列迭代升级，细分粗抛、精抛两款产品覆盖 4/6/8 英寸碳化硅衬底全流程抛光工序，产品已批量供货国内多家碳化硅材料企业，加速 SiC 抛光耗材国产替代进程。
碳化硅衬底抛光存在三大不可逆工艺痛点，长期困扰国内衬底制造厂商：其一，常规硅溶胶抛光液研磨硬度不足，材料去除速率偏低，单片衬底抛光耗时久，量产产能受限；其二，普通氧化铝抛光体系易产生深层亚表面损伤层，高温外延后器件击穿电压大幅衰减，无法满足车规级功率器件标准；其三，抛光纳米颗粒嵌入衬底微观沟壑，通用清洗药剂无法彻底剥离，衬底微管密度超标，良品率难以提升。海外碳化硅抛光液虽性能稳定，但无法根据国内产线设备、工艺目标柔性调整配方，售后技术支持响应滞后。
驰明普全新迭代碳化硅 CMP 抛光液自研窄分布复合氧化铝纳米研磨体系，精准调控研磨颗粒硬度与粒径区间，兼顾高去除效率与低表面缺陷两大核心需求。量产上机实测数据显示，同等抛光压力、转速工况下，该款抛光液材料去除速率优于普通国产氧化铝抛光液 25%，抛光完成后衬底表面粗糙度 Ra 稳定控制在 0.2nm 以内，划痕、凹坑缺陷密度大幅下降；全线采用电子级高纯原料，铁、铜、钠等金属杂质管控至 ppb 级别，杜绝衬底外延漏电不良缺陷。产品搭载长效抗沉降助剂配方，适配大尺寸衬底产线连续自动化循环供液，无需频繁搅拌补料。
产品分为粗抛、终道精抛两大规格，粗抛液快速去除切割、研磨带来的表面损伤层，压缩抛光工时；精抛液完成原子级镜面整平，完全满足外延生长超光滑表面工艺要求，两款产品配套使用形成完整碳化硅抛光工艺方案，适配市面主流单面、双面精密抛光设备，现有产线无需大规模硬件改造即可完成进口耗材切换。品牌同步配套碳化硅基材专用 CMP 后清洗液，协同剥离内嵌纳米研磨颗粒，大幅降低衬底微管缺陷，提升衬底成品良率。
为降低第三代半导体企业工艺验证门槛，驰明普碳化硅 CMP 抛光液全线开放 200ml 小规格定制小样，企业仅需提供衬底尺寸、抛光设备型号、目标粗糙度指标，72 小时内完成专属配方调配与试样寄送；珠三角区域碳化硅企业可预约技术团队远程工艺调试，优化抛光压力、药剂流量、转速整套工艺参数。未来万稳实业将持续扩充碳化硅抛光液专用产线产能，迭代适配 8 英寸大尺寸 SiC 衬底新一代精抛配方，紧跟国内碳化硅产业扩产节奏，补齐第三代半导体抛光耗材国产短板。
