发布时间：2026-07-14 来源：网络
新能源汽车、光伏逆变器、储能变流器产业爆发，带动碳化硅（SiC）功率器件需求持续暴涨，碳化硅衬底作为第三代半导体核心基材，硬度远高于硅片、蓝宝石，抛光加工难度极大，对抛光液研磨料硬度、分散性、缺陷控制能力提出严苛要求。长期以来碳化硅专用 CMP 抛光液市场被海外厂商垄断，国内衬底企业采购成本高、交期不可控。深圳万稳实业驰明普深耕第三代半导体耗材赛道，全新升级碳化硅 CMP 抛光液产品，适配 4/6/8 英寸碳化硅衬底粗抛、精抛全工序，现已开放 200ml 小样定制，批量供货国内多家碳化硅衬底制造企业，加速第三代半导体耗材国产替代。
碳化硅莫氏硬度高达 9.2，常规硅溶胶抛光液去除速率极低，加工效率不足；氧化铝研磨体系抛光液易产生表面划痕、亚表面损伤，影响外延薄膜生长质量；同时碳化硅抛光过程易产生纳米颗粒残留，清洗难度大，制约衬底良率提升。海外进口碳化硅抛光液虽性能稳定，但单价高、最小起订量大、定制配方周期长达 1 个月，国内中小衬底研发企业试样门槛极高，成为第三代半导体产业扩产的成本瓶颈。
万稳实业研发团队针对碳化硅高硬度基材特性，自研复合氧化铝纳米研磨体系，精准调控研磨颗粒粒径分布与硬度，兼顾高材料去除速率与低表面缺陷两大核心需求：
1. 高去除效率：同等抛光压力、转速条件下，材料去除速率优于普通国产氧化铝抛光液 25%，缩短衬底抛光加工时长，提升产线产能；
2. 低缺陷控制：搭配专用分散、润滑助剂，减少抛光过程颗粒划伤，抛光后衬底表面无明显划痕、凹坑，亚表面损伤层厚度大幅降低，Ra 稳定控制 0.2nm 以内；
3. 长效储存稳定：采用长效抗沉降助剂配方，常温存放 6 个月无明显沉淀，无需频繁搅拌，适配大批量产线连续供液；
4. 低金属离子杂质：电子级原料生产，铁、铜、钠等金属杂质含量远低于行业标准，避免衬底外延漏电缺陷。
驰明普碳化硅抛光液分为粗抛款与终道精抛款，覆盖碳化硅衬底两道核心抛光工序：粗抛液快速去除切割、研磨带来的表面损伤层，提升加工效率；精抛液完成镜面整平，满足外延生长超光滑表面要求，两款产品可配套使用，形成完整碳化硅抛光工艺方案。 同时产品适配市面主流双面抛光机、单面精密研磨设备，无需大幅调整原有产线设备参数即可完成切换，降低客户工艺改造投入。
为降低碳化硅企业前期工艺验证门槛，驰明普碳化硅 CMP 抛光液开放 200ml 小规格试样定制，客户提供衬底尺寸、抛光设备型号、粗糙度目标即可快速调配试样，72 小时内寄送，同步配套 CMP 后清洗剂专用 SiC 基材清洗方案，抛光、清洗耗材一站式配套，解决抛光后颗粒残留清洗难题。 珠三角区域碳化硅企业可预约技术工程师上门驻场调试，优化抛光压力、流量、转速全套工艺参数，快速提升衬底良率。
国内碳化硅衬底产能持续扩张，国产抛光液需求进入快速增长期，深圳万稳实业同步扩充碳化硅抛光液专用产线，提升批量交付能力，保障头部衬底企业稳定供货。未来研发团队将持续迭代 8 英寸大尺寸碳化硅专用抛光液，适配下一代大功率功率器件衬底加工需求。 有碳化硅衬底抛光液试样、批量采购需求，可拨打 185-6575-0095，添加微信 CMP-ChampPro 获取详细产品参数与上机测试方案。
