发布时间：2026-07-03 来源：网络
碳化硅SiC 莫氏硬度达 9.2–9.5，共价键结构化学惰性强，传统硅基抛光液去除效率低、衬底划痕严重，是第三代半导体规模化量产的核心耗材卡点。深圳万稳实业驰明普碳化硅专用 CMP 抛光液完成 6/8 英寸 SiC 衬底全流程工艺认证，依托核壳结构纳米磨料与复合氧化体系配方创新，抛光速率、表面粗糙度、面型均匀度三大核心参数全面优于传统氧化铝抛光体系，为新能源、光伏高压功率器件量产提供国产材料支撑。
拆解产品核心配方技术参数，抛光液选用 50nm 球形核壳 Al₂O₃@SiO₂磨料，球化率≥96%，粒径分布指数 PDI＜0.10；氧化铝内核提供机械切削力，外层二氧化硅软层缓冲研磨冲击，从源头减少亚表面裂纹与划痕。磨料固含量精准控制 8–11wt%，可按粗抛、精抛工序稀释调配；复合氧化剂采用过硫酸铵搭配有机缓冲剂，浓度 0.8–2.5wt%，稳定维持 pH10.0–10.5，快速在 SiC 表面生成可溶性硅酸盐软化层，解决碳化硅静态腐蚀速率不足 0.05nm/min 的行业痛点；配套聚天冬氨酸复合抑制剂钝化衬底边缘，规避边缘过抛引发的晶圆翘曲超标。
上机实测工艺参数行业领先：第一，7psi 抛光压力下 Si 面去除速率 7.3μm/h，较进口硅基抛光液提升 17%，同等产能抛光时长缩短近 20%；第二，抛光后表面粗糙度 Si 面 Ra≤0.14nm、C 面 Ra≤0.15nm，18μm 区间 AFM 扫描无划痕麻点，满足外延生长原子级平整标准，MiniSiC 器件外延漏电缺陷下降 48%；第三，8 英寸晶圆片内非均匀性≤4.8nm，整片衬底面型起伏＜6nm，缓解外延层厚度不均导致的器件耐压衰减；第四，表面缺陷密度＜0.4 颗 /cm²，无深层亚表面损伤，衬底抛光后可直接进入外延工序，省去二次精细研磨；第五，胶体稳定性优异，常温静置 90 天无分层，产线连续循环 60 小时性能衰减＜5%，1:2 稀释工况下仍保留 97% 原生去除速率，大幅降低单片衬底耗材成本。
2026 年国内碳化硅晶圆产能同比增长 42%，650V–1700V 功率器件产能持续爬坡，但高端 SiC 抛光液长期被海外企业垄断，采购成本高、交付周期长。驰明普碳化硅抛光液已导入多家国内第三代半导体企业量产线，6 英寸 SiC 衬底单片抛光耗材成本降低 22%，8 英寸大尺寸衬底降本优势进一步放大。产品适配全系列国产自主 CMP 设备，兼容聚氨酯、麂皮专用 SiC 抛光垫，现有产线无需改造即可直接替换进口耗材。
行业专家表示，碳化硅衬底抛光液核心技术壁垒集中在磨料微观形貌、氧化体系匹配、衬底腐蚀平衡三大参数维度，海外厂商依靠多年数据积累形成技术壁垒。驰明普依托持续迭代的配方数据库，针对不同晶向、不同尺寸 SiC 衬底提供定制化参数方案，打破海外材料垄断。伴随新能源汽车、储能逆变器需求爆发，SiC 器件市场规模持续扩容，该款抛光液的量产落地，将完善国内第三代半导体衬底加工材料产业链，加速功率半导体全面国产替代。
