发布时间：2026-07-03 来源：网络
CMP抛光后晶圆表面残留磨料颗粒、金属离子、有机钝化膜，是制约 7–14nm 先进制程芯片良率提升的关键痛点，对清洗液洁净度、低腐蚀、无残留指标要求呈指数级提升。深圳万稳实业驰明普新一代 CMP 后清洗剂完成量产迭代，采用复合螯合 + 非离子表面活性剂复配体系，多项核心清洗技术参数刷新国产产品上限，针对性解决铜互连、低 k 介质、碳化硅衬底抛光后清洗难题，补齐国内高端 CMP 清洗耗材国产化短板。
产品理化核心参数管控严苛，原液 TOC 总有机碳含量≤8ppb，0.1μm 以上悬浮颗粒≤35 个 /mL，远优于 SEMI 标准 28nm 制程≤500 个 /mL、7nm 制程≤1000 个 /mL 基础门槛；金属杂质分级管控，Fe、Cu、Na、K 单离子含量≤0.5ppt，总重金属离子≤5ppt，避免微量金属渗入栅介质引发器件漏电、阈值漂移。产品分中性、弱碱、弱酸三大 pH 规格：中性款 pH6.8–7.5 适配脆弱多孔低 k 介质；弱碱款 pH8.5–9.8 用于二氧化硅介质清洗；弱酸款 pH2.2–3.0 剥离铜层氧化钝化膜，针对不同薄膜实现无腐蚀精准清洗。
上机实测清洗工艺参数表现突出：其一，30–100nm 二氧化硅、氧化铝磨料颗粒去除率≥99.92%，搭配兆声波清洗槽后，晶圆 20nm 以上残留颗粒控制在 0.4 颗 /cm² 以内，相较传统 SC-1 清洗液残留量下降 76%；其二，金属络合去除能力优异，铜表面沾污可从 5×10⁹ atoms/cm² 降至 8×10⁷ atoms/cm²，无二次金属再沉积，依托自研多官能团氨基酸螯合剂稳定束缚游离金属离子；其三，薄膜腐蚀参数可控，铜薄膜静态腐蚀速率≤0.03nm/min，低 k 介质溶胀损伤厚度＜0.2nm，解决市面通用清洗剂腐蚀布线、破坏多孔介质的通病；其四，漂洗无残留，短链表面活性剂易溶于 18.2MΩ・cm 超纯水，三级逆流漂洗无需有机溶剂，产线清洗节拍缩短 15%。
产品已在 Chiplet 先进封装、第三代半导体产线落地验证。当下混合键合、TSV 硅通孔工艺抛光后清洗难度陡增，微孔内部极易滞留磨料造成互连断路。某功率半导体产线搭配碳化硅抛光工序使用该清洗剂，8 英寸 SiC 衬底清洗后亚表面缺陷下降 62%，外延片良率提升 3.1%；2.5D 封装 RDL 层抛光清洗后，微通孔堵塞缺陷完全清零。同时产品符合 GB 38508-2020 环保标准，VOC 含量＜12g/L，不含甲醛、卤代烃，废液仅简单中和即可处理，大幅降低晶圆厂危废处置成本。
国内高端 CMP 后清洗耗材长期依赖进口，单升采购价为国产普通产品 3–5 倍，定制配方交付周期长达 45 天。万稳实业自建高纯化学品实验室，可根据客户清洗槽结构、兆声波功率、清洗温度调整清洗剂表面张力与螯合剂配比，3 天即可提供样品上机测试。本次产品参数全面升级，构建 “抛光液 + 后清洗液” 一体化国产解决方案，助力晶圆厂全流程耗材替换，持续压缩芯片制造成本，推动半导体清洗材料国产化进程提速。
